-
| Задачи и значение дисциплины. Классификация и важнейшие направления электроники. Область применения электроники. Перспективы развития. Физические основы работы полупроводниковых приборов. Основные положения теории электропроводности полупроводников. Физические процессы в полупроводниках. Режимы включения p-n переходов. Вольт-амперные характеристики электрических переходов. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ИР1 | подготовить сообщение на тему: Классификация и важнейшие направления электроники; Область применения электроники |
ОИ1, ОИ2 | 4 | Оценка выступления сообщения по теме | Стр.7-13; 118-124. |
-
| Полупроводниковые диоды. Общие сведения и классификация полупроводниковых диодов. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ДИ1,ИР1 | домашнее задание |
ОИ1, ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр. 144-145 |
-
| Принцип действия, параметры и характеристики полупроводниковых диодов. Зависимость диодов от внешних факторов. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ1,ИР1 | домашнее задание |
ОИ1, ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр. 145-148 |
-
| Полупроводниковые выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ1,ИР1 | домашнее задание |
ОИ1, ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр. 148-162 |
-
| Особенности структур, принцип действия и схемы включения диодов. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ2 | домашнее задание |
ОИ1, ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.311-320 |
-
| Исследование свойств полупроводниковых диодов. | 2 | Лаб.р. |
1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 |
| | | Выполнение, оформление отчета и защита л.р. | |
-
| Исследование свойств полупроводникового кремниевого стабилитрона. | 2 | Лаб.р. | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета л.р. | |
-
| Исследование свойств полупроводникового кремниевого стабилитрона. | 2 | Лаб.р. | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета и защита л.р. | |
-
| Исследование туннельного диода. | 2 | Лаб.р. | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета л.р. | |
-
| Исследование туннельного диода. | 2 | Лаб.р. | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета и защита л.р. | |
-
| Биполярные транзисторы. Основные определения, устройство и принцип действия биполярного транзистора. Классификация, маркировка и система обозначений биполярного транзистора. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ2, ИР1, ИР2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.169-177 |
-
| Биполярные транзисторы. Режимы работы и схемы включения транзисторов. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ДИ1,ДИ2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.177-180 |
-
| Принцип работы, физические процессы и токи в биполярном транзисторе при включении транзистора в электрическую цепь. Физические параметры. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.184-192 |
-
| Биполярные транзисторы. Статические и динамические характеристики и параметры. Зависимость параметров от внешних факторов. Свойства транзисторов. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ1,ИР2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 1 | Выполнение домашнего задания | Стр.180-184 |
-
| Полевые транзисторы. Общие сведения о полевых транзисторах. Классификация и условное обозначение. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ2, ИР1, ИР2 | | | | | |
-
| Контрольная работа | 2 | Пр.р | 1,2,4 | | | | | |
-
| Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Полевые транзисторы с изолированным затвором от канала. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ1,ИР2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.196-200 |
-
| Схемы включения и режимы работы полевых транзисторов. Транзисторы структуры МОП (МДП) специального назначения. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ1,ИР2 | подготовить сообщение на тему: Применение полевых транзисторов; расшифровка маркировки полевых тр-ов | ОИ1, ОИ2, ОИ3, ИР1, ИР2 | 1 | Оценка выступления сообщения по теме | |
-
| Исследование свойств биполярных транзисторов в схеме включения с общей базой (ОБ). | 2 | Лаб.р. | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета л.р. | |
-
| Исследование свойств биполярных транзисторов в схеме включения с общей базой (ОБ). | 2 | Лаб.р. |
1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета и защита л.р. | |
-
| Исследование свойств биполярных транзисторов в схеме включения с общим эмиттером (ОЭ). | 2 | Лаб.р. | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета л.р. | |
-
| Исследование свойств биполярных транзисторов в схеме включения с общим эмиттером (ОЭ). | 2 | Лаб.р. | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета и защита л.р. | |
-
| Исследование свойств полевого транзистора. | 2 | Лаб.р. | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета л.р. | |
-
| Исследование свойств полевого транзистора. | 2 | Лаб.р. | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета и защита л.р. | |
-
| Тиристоры. Общие сведения, классификация и условное обозначение тиристоров. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ1,ИР1, ИР2 | | | | | |
-
| Тиристоры. Вольт-амперная характеристика динистора. Структура, принцип действия и схемы включения динистора, тринистора, симметричного триодного тиристора. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ1,ИР1, ИР2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.203-206 |
-
| Оптоэлектронные приборы и приборы отображения информации. Оптроны. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ2, ИР2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ3 | 4 | Выполнение домашнего задания | Стр.113-119 |
-
| Общая характеристика усилителей. Общие сведения. Классификация усилителей. Блок-схемы усилительных каскадов. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2,ОИ3,ДИ1, ИР1 | подготовить сообщение на тему: применение эл. Усилителей в авиационной технике | ОИ1, ОИ2, ОИ3, ИР1, ИР2 | 4 | Оценка выступления сообщения по теме | |
-
| Обратная связь в усилителях. Виды обратных связей. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ДИ1, ИР1, ИР2 | домашнее задание |
ОИ1, ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.244-254 |
-
| Общие принципы построения и работы схем электрических усилителей. Режимы работы усилительных элементов. Работа транзистора в схеме усилителей. Способы электропитания усилительных элементов. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ОИ3,ДИ1, ИР1, ИР2 | домашнее задание |
ОИ1, ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.220-223 |
-
| Термостабилизация и термокомпенсация режимов работы полевого и биполярного транзистора. Характеристика усилительных каскадов при разных схемах включения усилительных элементов. Составные транзисторы. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ДИ1, ИР1, ИР2 | домашнее задание |
ОИ1, ОИ2 | 4 | Выполнение домашнего задания | Стр.223-226 |
-
| Виды усилительных каскадов. Конструктивные особенности построения однотактных и двухтактных усилительных каскадов. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ОИ3,ДИ1, ИР1,ИР2 | | | | | |
-
| Виды усилительных каскадов. Построение и принцип работ схем однотактных каскадов усиления для различных схем включения усилительных элементов. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ОИ3,ДИ1, ИР1,ИР2 | | | | | |
-
| Виды усилительных каскадов. Характеристики однотактных усилительных каскадов. Фазоинверсный каскад. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ОИ3,ДИ1, ИР1,ИР2 | | | | | |
-
| Виды усилительных каскадов. Построение, принцип работы и характеристики схем двухтактных каскадов усиления. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ОИ3,ДИ1, ИР1,ИР2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.230-237 |
-
| Виды усилительных каскадов. Построение, принцип работы и характеристики схем фазоинверсных каскадов. Многокаскадные усилители. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ОИ3,ДИ1, ИР1,ИР2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.237-242 |
-
| Исследования УЗНЧ с отрицательной обратной связью. | 2 | Лаб.р | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета л.р. | |
-
| Исследования УЗНЧ с отрицательной обратной связью. | 2 | Лаб.р | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета и защита л.р. | |
-
| Исследование усилителя мощности. | 2 | Лаб.р | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета л.р. | |
-
| Исследование усилителя мощности. | 2 | Лаб.р | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета и защита л.р. | |
-
| Исследование УЗНЧ на микросхеме. | 2 | Лаб.р | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета л.р. | |
-
| Исследование УЗНЧ на микросхеме. | 2 | Лаб.р | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета и защита л.р. | |
-
| Многокаскадные усилители. Особенности построения многокаскадных усилителей. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ДИ1, ИР1, ИР2 | | | | | |
-
| Многокаскадные усилители. Обратная связь в многокаскадных усилителях. Способы уменьшения паразитных обратных связей. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ДИ1, ИР1, ИР2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.254-256 |
-
| Многокаскадные усилители. Требования, предъявляемые к схемным решениям каскадов усиления. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ДИ1, ИР1, ИР2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 1 | Выполнение домашнего задания | Стр.228-230 |
-
| Исследование качественных показателей УНЗЧ. | 2 | Лаб.р | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета и защита л.р. | |
-
| Исследование усилителя на ИМС с коррекцией. | 2 | Лаб.р | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета л.р. | |
-
| Исследование усилителя на ИМС с коррекцией. | 2 | Лаб.р | 1,2,3,4,5,7 ОИ1, ОИ2 | | | | Выполнение, оформление отчета и защита л.р. | |
-
| Усилители постоянного тока. Общие сведения и особенности усилителей постоянного тока. Построение и принцип работы схем усилителей. | 2 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ОИ3,ДИ1, ИР2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 2 | Выполнение домашнего задания | Стр.257-261 |
-
| Контрольная работа по курсу | 2 | Пр.р |
1,2,4 | | | | | |
-
| Усилители постоянного тока. Операционные усилители. | 1 | урок | 1,2,4, ОИ1,ОИ2, ОИ3,ДИ1, ИР1, ИР2 | домашнее задание |
ОИ1,ОИ2 | 2 | | Стр.261-263 |