Урок-исследование "Полупроводниковые приборы"

Полупроводниковые приборы урок –исследование по физике. 9 класс

Берюмова Ольга Николаевна, учитель физики МОУ СОШ № 22 Курского муниципального района Ставропольского края

Цель: изучения принципа действия и строения полупроводниковых приборов .

Задачи:

•       виды электропроводности;
•       полупроводники их свойства и применение;

• принципы работы полупроводниковых приборов

Полупроводниковые приборы.

• « Полупроводниковые приборы » - это перспективная ветвь развития электротехники .

Диоды

Фотоэлектрические полупроводниковые приборы

Полупроводники

Триоды

Интегральные микросхемы

Транзисторы

Резисторы

Виды проводимости

Примесная

Электронная

Дырчатая

Не основные носители заряда

Примесная электропроводность

• созда ётся путём добавления к тщательно очищенному полупроводнику весьма малого количества примеси .

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

• В пластине полупроводника, на границе между двумя слоями с различного рода электропроводностями, образуется электронно-дырочный переход , называемый также р-п- переходом или запирающим слоем.

Биполярные транзисторы

• Биполярный транзистор можно условно рассматривать как соединение полупроводниковых диодов.
• * Термин «транзистор», образованный путем слияния двух английских слов transfer -передача и resistor - сопротивление, надо понимать как передающее сопротивление . .

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

• В современных электронных вычислительных машинах количество пассивных (резисторов, конденсаторов) и активных (диодов, транзисторов) элементов достигает миллионов .

ВЫВОДЫ

• 1 .      Средствами электротехники относительно быстро решаются важнейшие технические проблемы в народном хозяйстве.
• 2.      Полупроводниковые приборы вытеснили электронные лампы и ионные приборы
• 3.      Электрическая проводимость полупроводников с повышение температуры уменьшается.  
• 4.      Чем лучше очистка полупроводника, тем выше его удельное сопротивление.   
• 5.      На практике используется исключительно примесная электропроводность полупроводников, 
• 6.      Размеры диода зависят от допустимой для данного типа диодов плотности тока.   
• 7. Чем больше нагревостойкость диода, тем меньше могут быть его габариты при том же КПД

• 8 .      В настоящее время широко применяют несколько видов полупроводниковых диодов: селеновые, германиевые, кремниевые, редко из арсенида галлия.

9. Применение электронных устройств приводит к непрерывному усложнению их схем и к увеличению количества используемых в них элементов. 

• 10     В современных электронных вычисли­тельных машинах количество пассивных (резисторов, конденсаторов) и активных (диодов, транзисторов) элементов достигает миллионов.
• 11     Разработаны новые принципы создания электронных устройств на базе элементной интеграции .
• 12     Электронные устройства на полупроводниковых интегральных микросхемах могут иметь плотность монтажа до 500 элементов в 1 см 3 .

• 13.     Интегральные микросхемы представляют собой усилительные устройства.
• 14.    Они обладают большим быстродействием и высокой надежностью (безотказностью в работе). Современные интегральные микро­схемы могут содержать более 1000 элементов. 
• 15.    Большие интегральные микросхемы рассчитаны на очень небольшую мощность — десятые доли ватта .